近日，由中科潞安牵头实施的国家科技部“十四五”重点研发项目“大功率深紫外AlGaN基LED发光材料与器件产业化关键技术（典型应用示范）”成功获得立项。本项目总预算达4450万元，由中科潞安总经理闫建昌担任项目负责人，参与单位还包括北京中博芯半导体科技有限公司、泉州三安半导体科技有限公司、华中科技大学、中国科学院半导体研究所、西安电子科技大学、材料科学姑苏实验室、中国科学院宁波材料技术与工程研究所、北京工业大学和中北大学等9家科研院所、企业。
本项目研究内容整体分为四个子课题：一是面向大功率深紫外LED需求，研究2-4英寸蓝宝石衬底上深紫外AlGaN基LED高量子效率发光有源区结构外延技术；二是研究低电压、高出光效率、大功率深紫外AlGaN基LED芯片制备关键技术；三是研究深紫外LED高光提取效率、高气密性、低热阻封装技术；四是研究深紫外AlGaN基LED的外延结构、器件和封装工艺等对器件失效和光衰的影响机制，发展器件标准化评价方法。
本项目的成功立项，是中科潞安共建国家第三代半导体技术创新中心（山西）以来获批的首个国家级研发项目，是科技部对山西省第三代半导体产业链整体研发实力的充分肯定，标志着中科潞安的科技创新水平提升到了一个新的高度。本项目将进一步强化中科潞安在中国深紫外技术变革和创新研发中的主体地位，推动本行业上下游企业的科技联动和深度融合，有助于全行业面向国家重大需求，集中优势资源聚焦行业关键共性技术，形成跨行业、跨区域的研发布局和协同创新体系。
2022年以来，中科潞安科研立项成果颇丰，新增立项4项，其中牵头1项科技部十四五重点研发计划和1项山西省重点研发计划，参与1项科技部十四五重点研发计划和1项海南省重点研发计划。全年新增创新平台3个，获批建设国家第三代半导体技术创新中心山西区域分中心、山西省深紫外LED技术创新中心和山西省产业技术创新战略联盟和，实现了国家级、省级和市级创新平台全覆盖的建设目标。
